Американским ученым удалось расширить предел масштабирования мемристоров практически до уровня атомов — площадь поперечного сечения запоминающего элемента, представленного специалистами Техасского университета в Остине, составляет один квадратный нанометр. Об инновационной технологии, которая обещает прорыв в системах хранения информации, пишет издание Nature Nanotechnology.
Десять лет назад ученые изобрели мемристор — "четвертый электротехнический элемент". На основе мемристоров создается целый класс энергонезависимой памяти, которая работает на эффекте управления сопротивлением отдельной ячейки. Теперь исследователям из США удалось повысить предел масштабирования мемристоров, сделав их самыми маленькими в мире единицами памяти.
"Атом металла заполняет наноразмерную дыру, передавая материалу часть своей проводимости и возможность запоминать состояние. Масштабирование снизилось до того уровня, при котором всего один атом отвечает за состояние памяти. Это — невероятный прорыв, который обеспечило наше новое исследование", — говорит профессор кафедры электротехники и вычислительной техники Деджи Акинванде.
Новая технология обещает рекордно высокую плотность записи данных — около 25 Тбит на квадратный сантиметр. Новый элемент, на котором основана память, получил название атомристор. Ученые отмечают, что ячейки атомристоров можно делать из разных материалов, что повышает коммерческие перспективы технологии.
Post A Comment:
0 comments: